專門為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計(jì)。
特點(diǎn)
- 新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM) - 用改良的高真空性能和電子束穩(wěn)定性來實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
- 采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
| 項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) | |||
| 二次電子分辨率 | 0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬(wàn)倍） | |||
| 1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬(wàn)倍） | ||||
| STEM分辨率 | 0.34nm（加速電壓30kV，晶格象） | |||
| 觀測(cè)倍率 | 底片輸出 | 顯示器輸出 | ||
| LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | ||
| HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | ||
| 樣品臺(tái) | 側(cè)插式樣品桿 | |||
| 樣品移動(dòng)行程 | X | ±4.0mm | ||
| Y | ±2.0mm | |||
| Z | ±0.3mm | |||
| T | ±40度 | |||
| 標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) | 平面樣品臺(tái)：5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
| 截面樣品臺(tái)：2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
| 專用樣品臺(tái) | 截面樣品臺(tái)：2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
| 雙傾截面樣品臺(tái)：0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
| 信號(hào)檢測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器 | |||
| TOP 探測(cè)器（選配） | ||||
| BF/DF 雙STEM探測(cè)器（選配） | ||||
應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 半導(dǎo)體器件
2. 高分子材料
3. 納米材料
4. 生命科學(xué)
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